中信證券研報指出，以碳化硅為代表的第三代半導體具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速率高、擊穿電場高、熱導率高等特點，是半導體產業未來發展的重要方向。碳化硅襯底位于碳化硅產業鏈的核心上游，采用碳化硅功率器件的高壓快充新能源汽車更能適應其增加續航里程、縮短充電時間和提升電池容量等需求，預計將成為未來的主流選擇，驅動碳化硅襯底需求進一步增長。
中國報告大廳聲明：本平臺發布的資訊內容主要來源于合作媒體及專業機構，信息旨在為投資者提供一個參考視角，幫助投資者更好地了解市場動態和行業趨勢，并不構成任何形式的投資建議或指導，任何基于本平臺資訊的投資行為，由投資者自行承擔相應的風險和后果。
我們友情提示投資者：市場有風險，投資需謹慎。
本文來源：報告大廳
本文地址：//www.kcice.cn/finance/hs/33889.html
京公網安備 11010502031895號
