存儲器發展趨勢

　　2020年存儲器資本開支同比衰退至少超過15%。在人腦的世界里，海馬體是負責存儲和學習的，而在計算機里面，存儲器就是計算機的“海馬體”，可以說，存儲器的性能直接影響計算機的綜合性能，是不可或缺的那一部分。以下對存儲器發展趨勢分析。

　　國內閃存NAND大廠長江存儲及手機用內存DRAM大廠合肥長鑫的擴產進度及資本開支計劃是否造成全球存儲器行業的供給過剩，但因為這些國內大廠量產初期，良率不佳，再受到新型冠狀病毒影響設備驗收及裝機，還有設計及制程工藝技術與國際大廠仍有幾個世代的差距而造成其品質，規格種類，數量，成本及其價格均不具市場競爭力，所以預估其全球存儲器DRAM+NAND半導體市場份額在2022年，不會超過5%。

　　國產存儲器占全球市場份額

　　國內存儲市場發展迅速，中國是全球最大的存儲器消耗鍋之一。三星、美光、西部數據和海力士等廠商是存儲器市場的佼佼者，近年來，國內存儲廠商有崛起的勢頭，長江存儲、晉華、兆易、長鑫和紫光等存儲器企業。曙光、浪潮、大華、宇視、聯想等都是存儲器廠商的大客戶。現從三大方向來分析存儲器發展趨勢。

　　永久性

　　與現有技術相比，所有這些技術都是非易失性的，是DRAM所沒有的重大優勢，并且它們都支持原位編程，這使得它們比NAND或NOR閃存的編寫速度快得多。

　　可擴展性

　　另一個重要的考慮因素是該技術的可擴展性。某些新型的存儲器技術，特別是FRAM和PCM，已經面臨挑戰。但FRAM還沒有成功地在90nm以下成功縮放PCM的“on”電阻會隨著單元尺寸的縮小而增加，使得該技術在工藝縮小時面臨不少雜音，雖然PCM研究人員在十年前成功就已開發出5nm的單元。氧空缺ReRAM據稱在縮放到10nm以下時會遇到問題。Adesto的導電橋技術和Crossbar的納米導電金屬細絲技術預計可以做到10nm以下。

　　工藝復雜性

　　PCM和Crossbar的導電金屬細絲存儲器在這方面具有優勢，因為 它們的選擇器元件比其他技術更簡單。Crossbar 的選擇器包含在位單元內，而PCM在同一方向上使用電流進行置位，復位和讀取操作，因此它只需要一個簡單的二極管。在這兩個中，Crossbar單元的工藝更簡單，由于沒有選擇器元件，它所需的沉積層更少。

　　如今的存儲器更小，集成度更高，芯片級存儲器層出不窮，隨著大數據和人工智能技術的進步，邊緣計算成為一種新的需求，對存儲器速度要求高了，而且存儲器是計算機中數據存放的主要介質，在容量提升的同時，面對存儲市場的變化，選擇最合適的存儲器是很多廠商重點關注的課題。