半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景無限廣闊

    2010年全球半導體產(chǎn)業(yè)擺脫了2009年的衰退局面，快速回升，市場總額預計超過3000億美元，達到歷史最高水平。電腦系統(tǒng)和外設組成的數(shù)據(jù)處理是半導體產(chǎn)品最大的一類應用，占40%；其次是無線通信，占20%；緊跟其后的是消費電子，占19%；有線通信和工業(yè)電子均約為9%；汽車電子為6%。與2009年相比，各領域新產(chǎn)品和新技術的發(fā)布明顯加快，產(chǎn)品需求旺盛，市場信心正在恢復。

    德州儀器：專注模擬芯片

    2010年，德州儀器收獲頗豐，該公司半導體業(yè)務整體收入12.4億美元，環(huán)比增長35.2%，在全球半導體市場排名第4，市場份額占到4%。其第一季度營收為32.05億美元，同比增長54%，凈利潤為6.58億美元，同比增長3771%。第二季度營收為34.96億美元，同比增長42%；凈利潤為7.69億美元，同比增長196%。其收入構成中，模擬產(chǎn)品營收為15.12億美元，同比增長56%；嵌入式處理產(chǎn)品營收為5.16億美元，同比增長47%；無線產(chǎn)品營收為7.27億美元，同比增長18%。公司第三季度營收為37.4億美元，凈利潤增至8.59億美元。預計第四季度公司營業(yè)收入為34.3億美元至35.7億美元。

    德州儀器2010年的新產(chǎn)品發(fā)布比較密集，平均每月都有幾款不同類型的產(chǎn)品推出，在鞏固數(shù)字信號處理器市場的同時，公司正專注于模擬芯片市場。

    此外，臺積電是全球最大的半導體代工企業(yè)，隨著全球半導體產(chǎn)業(yè)從國際金融危機中逐步恢復，臺積電的營收狀況也出現(xiàn)明顯回升。公司2010年營收達到創(chuàng)紀錄的143.5億美元，同比增長41.9%。

    臺積電董事長張忠謀預計，2011年半導體代工業(yè)產(chǎn)值年增長率將達到14%，高于整體半導體業(yè)的5%，而臺積電的增長還會高于代工業(yè)平均增長率。

    工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所副所長畢開春 

    2010年，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進入了復蘇階段，產(chǎn)業(yè)在上半年出現(xiàn)了快速反彈，多家企業(yè)創(chuàng)下了歷史最好業(yè)績。市場需求強烈，產(chǎn)品研發(fā)繼續(xù)。雖然下半年增速減慢，庫存有所增加，但年度市場總額仍創(chuàng)歷史記錄。

    上半年快速復蘇下半年增速放緩

    受國際金融危機影響，半導體產(chǎn)業(yè)自2008年10月份開始出現(xiàn)大幅下滑，2009年全球半導體銷售額同比下降11.7%。在世界各國采取了刺激經(jīng)濟的政策和積極“救市”措施的影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)以及我國半導體產(chǎn)業(yè)在2009年第二季度開始回升。隨著全球經(jīng)濟的好轉(zhuǎn)以及市場需求的增長，半導體產(chǎn)業(yè)在2010年上半年快速復蘇，第一季度全球半導體銷售額為699億美元，同比增長65.4%，環(huán)比增長7.5%。第二季度繼續(xù)保持快速上漲的勢頭，銷售額達748億美元，同比增長44.7%，環(huán)比增長7.1%。雖然下半年增長速度明顯慢于上半年，但增長的趨勢一直保持到了年末。第三季度銷售額為794億美元，同比增長26.2%，環(huán)比增長6.1%。第四季度銷售額僅環(huán)比增長0.4%，同比增長11.2%。最終2010年年度增長率達到30%以上，是近10年來年度增長率最高的一年，銷售額凈增870億美元，也是全球半導體市場銷售額絕對值增加最多的一年。分析2010年出現(xiàn)高速增長的原因，一方面在于各國刺激經(jīng)濟的政策初見成效，經(jīng)濟開始回暖。另一方面全球半導體市場在2008年下降了23.4%，2009年又下降了6.7%，產(chǎn)業(yè)積聚了大量上升的能量，2010年出現(xiàn)了集中釋放。但市場不可能一直保持這么高的增長速度，最終要回到一個正常的軌道上。2010年上半年產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)快速反彈，而下半年的放緩實際上是市場自發(fā)的回調(diào)，這也標志著半導體市場正在逐步企穩(wěn)。

    終端產(chǎn)品需求旺盛帶動產(chǎn)業(yè)發(fā)展

    2010年電子整機產(chǎn)品市場出現(xiàn)巨幅增長，強烈的需求直接拉動了集成電路市場。2010年全球個人計算機生產(chǎn)了3.76億臺，同比增長19.2%；手機市場同比增長了15%，其中智能手機達2.51億臺，同比增長37.9%；彩電產(chǎn)量為2.43億臺，同比增長16%。這幾大類電子整機的需求增長，導致了英特爾、臺積電等公司的業(yè)績上升并達到歷史最高點。另外在存儲器行業(yè)，大部分企業(yè)也實現(xiàn)了扭虧為盈。美光增長率達到113%，在全球半導體廠商排名中躍升至第8位。除此之外，新興的平板電腦、新型移動終端等也對全球集成電路產(chǎn)業(yè)起到了不小的牽引作用。在這種需求帶動下，全球主要的半導體廠商都獲得了不同幅度的增長，專注于消費電子市場的瑞薩電子表現(xiàn)明顯，實現(xiàn)128.3%的增長率，在全球半導體廠商排名中列于第5位。

    產(chǎn)品研發(fā)按既定路線前行

    到目前為止，集成電路技術仍遵循著摩爾定律快速發(fā)展。以英特爾為代表的先進集成電路企業(yè)一直在不斷地研發(fā)新產(chǎn)品。在2010年年初，英特爾基于32nm工藝的CPU產(chǎn)品已經(jīng)上市，基于下一代22nm新工藝的產(chǎn)品也已經(jīng)進入試產(chǎn)階段，并即將投入量產(chǎn)。按照英特爾的路線圖，其首批22nm新工藝處理器代號為“IvyBridge”，照例橫跨服務器、桌面和移動領域，核心架構則會基本沿用2011年初即將面世的SandyBridge。按照英特爾的“Tick-Tock”鐘擺式發(fā)展策略，SandyBridge是一次老工藝、新架構的Tock，IvyBridge則是新工藝、老架構的Tick。此外，英特爾在面向高性能計算領域還研發(fā)了同樣采用22nm工藝、基于超多核心架構的并行計算協(xié)處理芯片“KnightsCorner”，該芯片將會在2012年推出。

    除此之外，三星半導體采用了更加先進的30nm工藝生產(chǎn)內(nèi)存，并計劃在2011年采用更先進的工藝。臺積電也開始45nm產(chǎn)品的量產(chǎn)，并宣稱將跨過22nm直接進入20nm的工藝研發(fā)。

    未來發(fā)展趨勢

    隨著全球經(jīng)濟從衰退的陰影中逐步走出，集成電路產(chǎn)業(yè)也出現(xiàn)了快速的恢復發(fā)展。由于市場的好轉(zhuǎn)，需求的旺盛，相應的企業(yè)紛紛擴大產(chǎn)能。與2009年相比，新技術的應用開始加快，一些尖端技術將逐步走向?qū)嵱没?

    進入穩(wěn)步增長階段

    由于全球經(jīng)濟和電子產(chǎn)品市場繼續(xù)復蘇，對2011年的預計，各家業(yè)內(nèi)分析機構的結論十分近似，均認為全球半導體市場仍將保持增長態(tài)勢，但增長率在5%左右，預計銷售額將達到3150億美元左右。這與2010年30%左右的預期增長率無法相比。但是，由于衰退已經(jīng)結束，今后幾年半導體銷售額將進入穩(wěn)步增長階段，增長速度平均為4%～6%。2014年市場總額將達到3600億美元左右。

    從地區(qū)分布來看，世界各地區(qū)比較平均，未來兩年的增長率都基本保持在5%左右。根據(jù)WSTS最新預測，美洲地區(qū)2011年增長率為4.9%，2012年達5.5%；歐洲地區(qū)2011年增長率較低，為2.3%，2012年也將達5.3%；日本2011年增長率為5.2%，2012年為5.1%；亞太地區(qū)2011年增長率為4.7%，2012年為5.9%。

    20nm工藝技術即將成為主流

    當前，半導體技術日新月異，但在未來5～10年內(nèi)，硅基CMOS集成電路仍將是半導體產(chǎn)業(yè)的主導，并依然會迅速發(fā)展。作為集成電路產(chǎn)業(yè)競爭制高點的CPU，當前主流產(chǎn)品工藝已從45nm向32nm過渡，并在近年內(nèi)將向22nm及其以下方向演進。2009年12月，英特爾公司宣布32nm芯片開始大規(guī)模量產(chǎn)，其32nm系列相關產(chǎn)品2010年1月份已經(jīng)進入市場銷售。并且英特爾宣布于2011年晚些時候發(fā)布22nm處理器。作為半導體產(chǎn)業(yè)重要組成部分的存儲器方面也是如此，NAND閃存的容量目前正以超過摩爾定律的速度不斷擴大，新產(chǎn)品不斷出現(xiàn)。如東芝與美國閃迪(SanDisk)共同研發(fā)了24nm工藝2bit/單元的64Gbit產(chǎn)品，韓國三星電子研發(fā)出20nm節(jié)點工藝3bit/單元的64GbitNAND產(chǎn)品等。

    尖端技術將逐步實用化

    2010年，CMOS技術已正式進入32nm的量產(chǎn)階段，而根據(jù)國際半導體技術發(fā)展路線圖預測，2012年將進入22nm階段。隨著特征尺寸的不斷減少，一些尖端的技術也將逐步實用化。以極紫外(EUV)光刻技術為例，GlobalFoundries公司宣布將在15nm工藝節(jié)點開始啟用EUV光刻技術制造半導體芯片。并且公司計劃于2012年下半年在紐約工廠部署EUV光刻設備。巧合的是，光刻設備廠商ASML公司也將于這個時間點開始上市EUV光刻設備。英特爾曾計劃在22nm工藝節(jié)點啟用EUV光刻設備，但其計劃有所改變，公司稱將把193nm浸液式光刻技術沿用到15nm工藝乃至11nm工藝節(jié)點。

    主要企業(yè)情況

    在集成電路行業(yè)中，主要的產(chǎn)品門類是CPU、存儲器、專用電路等，這幾大門類產(chǎn)品主要生產(chǎn)公司的年度發(fā)展情況，很大程度上可以作為行業(yè)的晴雨表和溫度計。還有一類企業(yè)是專業(yè)的代工廠，其發(fā)展情況也可以從一個側(cè)面反映行業(yè)的年度發(fā)展情況。

    英特爾：向超便攜應用擴展

    根據(jù)Gartner公布的預測數(shù)據(jù)顯示，以銷售額計算，2010年英特爾在芯片市場仍將連續(xù)第19年排名第一。不過英特爾的市場占有率預計將從2009年的14.2%下降至13.8%?？v觀全年，英特爾保持了較好的增長勢頭，2010年收入約為414億美元，同比增長24.6%。

    在產(chǎn)品發(fā)布上，公司不斷發(fā)布新型產(chǎn)品。在2010年1月份，IntelCorei7、i5和i3上市。2月份，其采用新IntelCorevPro架構的處理器系列發(fā)布，3月底，又推出了8核心及16線程的IntelXeon7500處理器系列，5月推出新一代凌動處理器Z6xx系列，8月底公司發(fā)布了12款全新雙核心凌動處理器，11月發(fā)布搭配了FPGA的凌動處理器E600C系列。從一年的產(chǎn)品發(fā)布來看，公司除保持其在桌面及服務器等領域的優(yōu)勢地位外，仍在繼續(xù)向超便攜領域的應用擴展。

    三星半導體：存儲器貢獻率大

    作為全球排名第二的半導體廠商，三星半導體仍然是全球最大的半導體存儲器制造商。2010年，三星電子公司的銷售額同比增長59.8%，達283億美元，其中三星半導體的存儲器業(yè)務貢獻率為80%左右。根據(jù)iSuppli公司的統(tǒng)計顯示，2010年第三季度三星半導體是全球前5大DRAM存儲器廠商中唯一維持正增長的公司。三星電子DRAM存儲器第三季度銷售額為43.6億美元，同比增長102.5%。

    據(jù)Gartner的統(tǒng)計，近年來三星半導體的業(yè)務增長勢頭超過了英特爾。ICInsights預計，若能保持現(xiàn)在的增速，三星半導體有望在2014至2015年時超越英特爾。三星半導體的業(yè)績與其積極的投資策略密不可分，2010年三星電子在半導體方面的投資額度達96億美元，占全球半導體投資的22%，比英特爾和臺積電加起來還多。據(jù)Gartner統(tǒng)計，2011年三星仍將投入92億美元，而英特爾和臺積電同期的投資額預計為50億美元和49億美元。

    新產(chǎn)品方面，2010年三星半導體的腳步也沒有放慢。2010年2月，公司宣布量產(chǎn)40nm的4GbDDR3內(nèi)存芯片。4月，三星率先批量生產(chǎn)20nmNAND閃存，并推出了全球首款多芯片封裝(MCP)相變存儲器(PRAM)產(chǎn)品。7月，開始了30nm2GBDDR3DRAM的量產(chǎn)。9月發(fā)布了新款雙核1GHzOrion處理器。