2016年我國閃存卡行業(yè)競爭格局分析

　　據(jù)我國閃存卡行業(yè)競爭分析，作為僅次于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)市場的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，近幾年閃存芯片在全球消費(fèi)電子和通信產(chǎn)品等帶動(dòng)下，市場規(guī)模持續(xù)增長。現(xiàn)對2016年我國閃存卡行業(yè)競爭格局分析。然而閃存芯片的兩大類NANDFlash和NORFlash卻經(jīng)歷著不同的命運(yùn)：前者市場盡管經(jīng)歷了多年跌宕起伏，但仍保持快速增長態(tài)勢，未來前景可期;后者市場規(guī)模近年來則持續(xù)萎縮。

　　2012年，受終端消費(fèi)產(chǎn)品低迷、閃存產(chǎn)能過剩等因素的影響，全球閃存芯片市場銷售額出現(xiàn)7%以上的負(fù)增長。然而得益于本土消費(fèi)電子產(chǎn)品市場的穩(wěn)步發(fā)展，中國閃存芯片市場略有下降。

　　國內(nèi)市場波動(dòng)成長 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)加劇調(diào)整

　　未來3年，中國閃存市場將重回平穩(wěn)增長的態(tài)勢，市場規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大。

　　近幾年中國對閃存芯片的需求保持快速增長的態(tài)勢。2012年，在全球金融低迷導(dǎo)致的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下降、閃存產(chǎn)能過剩等負(fù)面因素的影響下，中國閃存芯片市場規(guī)模略微下降1.0%。形成這種局面的主要原因，除了電子整機(jī)需求低于預(yù)期外，2012年閃存產(chǎn)品單價(jià)大幅下降也是導(dǎo)致市場規(guī)模下滑的重要原因。

　　從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，中國NANDFlash市場與上年基本持平，市場規(guī)模達(dá)633.7億元。根據(jù)存儲(chǔ)單元的不同，NANDFlash目前可以分為SLC、 MLC和TLC三類，產(chǎn)品價(jià)格依次遞減。短時(shí)間內(nèi)MLC仍會(huì)是主流產(chǎn)品，SLC將繼續(xù)在企業(yè)級(jí)、服務(wù)器市場領(lǐng)域存活;隨著TLC性能的提升，其將成為未來中低端領(lǐng)域NANDFlash的主要產(chǎn)品。

　　同時(shí)，NORFlash市場出現(xiàn)10%以上的萎縮，市場規(guī)模達(dá)74.9億元。由于在大容量存儲(chǔ)方面并無優(yōu)勢，近年來NORFlash產(chǎn)品的容量規(guī)格基本穩(wěn)定。手機(jī)和筆記本電腦等傳統(tǒng)高利潤的市場應(yīng)用，逐漸被低容量的NANDFlash所替代。與此同時(shí)，新興下游整機(jī)市場的帶動(dòng)效應(yīng)乏力，中國NORFlash市場同全球市場一樣正經(jīng)歷著衰退期。此外，性價(jià)比更高的SerialFlash也在逐步替代ParallelFlash，這在一定程度上也拖累了整個(gè)市場銷售額的增長。

　　閃存卡行業(yè)市場調(diào)查分析報(bào)告顯示，未來3年，在中國消費(fèi)電子制造快速恢復(fù)和本土市場的穩(wěn)定增長等有利因素的影響下，中國閃存市場將重回平穩(wěn)增長的態(tài)勢，市場規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大。智能手機(jī)、平板電腦、固態(tài)硬盤仍將是帶動(dòng)閃存市場增長的主要?jiǎng)恿Γ瑫r(shí)隨著閃存技術(shù)的不斷進(jìn)步，價(jià)格會(huì)持續(xù)走低，單顆芯片容量會(huì)越來越大，使用的領(lǐng)域會(huì)逐漸拓展，智能電視、汽車電子以及儀器自動(dòng)化等領(lǐng)域?qū)⒊蔀殚W存市場新的增長點(diǎn)。預(yù)計(jì)到2015年，中國閃存市場有望超過1000億元。

　　企業(yè)之間競爭加劇 先進(jìn)制程極為關(guān)鍵

　　行業(yè)巨頭通過不斷擴(kuò)大產(chǎn)能、提高技術(shù)實(shí)力、降低芯片價(jià)格等手段搶占行業(yè)制高點(diǎn)。

　　NANDFlash市場近幾年的急速擴(kuò)張，給行業(yè)帶來了巨大波動(dòng)。先是瑞薩(Renesas)的黯然離場，將技術(shù)轉(zhuǎn)讓給力晶(Powerchip);接著是奇夢達(dá)(Qimonda)的快速破產(chǎn);然后是英特爾(Intel)和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (DRAM)和閃存業(yè)務(wù)合并成立新公司恒憶半導(dǎo)體(Numonyx)，可惜好景不長，最后被美光(Micron)收購，并且美光與英特爾在 NANDFlash領(lǐng)域深入合作，共同投資建廠;2011年7月東芝(Toshiba)宣布與閃迪(Sandisk)共同投資新建的制造廠房“Fab5” 已經(jīng)竣工并投產(chǎn);2012年4月，三星宣布在西安建設(shè)閃存芯片工廠，項(xiàng)目總投資300億美元，預(yù)計(jì)建成后月產(chǎn)能達(dá)10萬片。

　　與此同時(shí)，2012年NANDFlash廠商工藝線程紛紛達(dá)到20nm，未來積極布局1Xnm級(jí)別。這些行業(yè)巨頭通過不斷擴(kuò)大產(chǎn)能、提高技術(shù)實(shí)力、降低芯片價(jià)格等手段來搶占行業(yè)制高點(diǎn)，競爭激烈程度可見一斑。

　　在NORFlash領(lǐng)域，由于產(chǎn)品在大容量和先進(jìn)制程方面與NANDFlash難以形成有效競爭，因此部分企業(yè)一方面繼續(xù)追求先進(jìn)制程，另一方面為了尋找一線生機(jī)，謀求跨入新的領(lǐng)域，開拓新的市場，積極進(jìn)入低密度NANDFlash市場。

　　找準(zhǔn)產(chǎn)品市場定位 實(shí)現(xiàn)本土企業(yè)崛起

　　國內(nèi)企業(yè)應(yīng)該揚(yáng)長避短，先集中精力于中低端市場，依靠龐大的消費(fèi)者群體，逐步提高市場占有率。

　　目前，由于智能手機(jī)、閃存卡、平板電腦和超極本應(yīng)用大量的NANDFlash，導(dǎo)致三星、東芝、美光等國際大廠紛紛轉(zhuǎn)向高容量的NANDFlash產(chǎn)品。而飛索(Spansion)、旺宏(Macronix)、華邦(Winbond)也由NORFlash業(yè)務(wù)拓展至低密度NANDFlash業(yè)務(wù)，同時(shí)，2012年三星宣布退出NORFlash業(yè)務(wù)無疑給這個(gè)市場蒙上陰影?？傊?，國際大廠依靠技術(shù)、資金、產(chǎn)能等多方面的優(yōu)勢把控著閃存市場和產(chǎn)品趨勢。

　　面對閃存芯片市場的激烈變化，國內(nèi)企業(yè)將如何應(yīng)對呢?

　　“欲占大路，先取兩廂”。“大路”就是以新技術(shù)、新工藝所驅(qū)動(dòng)的高端閃存芯片市場，如大容量的NANDFlash市場;“兩廂”就是利潤薄、品種多、應(yīng)用領(lǐng)域分散的市場，如NORFlash市場。

　　由于國際大廠閃存技術(shù)發(fā)展迅速，產(chǎn)品更新?lián)Q代很快，為了發(fā)展需要，常常會(huì)停掉一些對他們來說利潤薄弱的落后產(chǎn)品線，而中國仍有大量使用中低端閃存的整機(jī)企業(yè)，這給本土芯片企業(yè)帶來了很好的切入機(jī)會(huì)。

　　兆易創(chuàng)新就是這樣一家本土閃存芯片企業(yè)。該企業(yè)抓住國際大廠逐步退出NORFlash整體市場的機(jī)遇，積極拓展市場和行業(yè)應(yīng)用;同時(shí)順應(yīng) NORFlash市場由并口轉(zhuǎn)為串口的產(chǎn)品和技術(shù)變革趨勢，推出技術(shù)領(lǐng)先產(chǎn)品，取得了國內(nèi)整體NORFlash市場第四的優(yōu)異成績，而排名前三位的就是美光、飛索以及旺宏等國際大廠，并且該公司在有良好發(fā)展前景的SerialFlash國內(nèi)細(xì)分市場中排名第一，市場份額仍在不斷地?cái)U(kuò)大，成功地取得“兩廂”。目前該公司投入大量的人力和資金積極開發(fā)低容量的NANDFlash，努力地縮小與國際大廠之間的差距。

　　由此及彼，在如此全球化的激烈競爭中，中國IC設(shè)計(jì)企業(yè)在資金、技術(shù)、人才明顯處于劣勢的條件下，如果一味地與國外巨頭一樣追求高性能，很容易在創(chuàng)業(yè)初期由于資金的大量投入無果，導(dǎo)致最后資金鏈斷裂而破產(chǎn)。國內(nèi)企業(yè)應(yīng)該揚(yáng)長避短，先集中精力于中低端市場，依靠龐大的消費(fèi)者群體，逐步提高市場占有率，將中低端產(chǎn)品做好做精，培養(yǎng)品牌信任度與美譽(yù)度，并認(rèn)真積累技術(shù)、資金、人才等，再以實(shí)力謀劃發(fā)展高端產(chǎn)品。協(xié)調(diào)好眼前利益與長遠(yuǎn)利益。